Bolsa de PD em Dispositivos Optoeletrônicos
Post-Doctoral Fellowship in Optoelectronic Devices
Nº: 8714
Área de conhecimento: Física
Field of knowledge: Physics
Nº do processo FAPESP: 2023/09820-2
FAPESP process: 2023/09820-2
Título do projeto: Desenvolvimento de Diodos Emissores de Luz Sintonizáveis baseados em Nanoestruturas de Haletos 0D e Materiais Híbridos.
Project title: Towards the Development of Tunable Light-Emitting Diodes based on 0D halide nanostructures and hybrid materials.
Área de atuação: Dispositivos baseados em Materiais Híbridos
Working area: Devices based on Hybrid Materials
Quantidade de vagas: 1
Positions: 1
Pesquisador responsável: Gustavo Martini Dalpian
Principal investigator: Gustavo Martini Dalpian
Unidade/Instituição: Departamento de Fisica/Unesp, Rio Claro
Unit/Instituition: Departamento de Fisica/Unesp, Rio Claro
Data limite para inscrições: 06/12/2025
Deadline for submissions: 2025-12-06
Publicado em: 07/11/2025
Publishing date: 2025-11-07
Localização: Av. 24-A -1515, Rio Claro
Locale: Av. 24-A -1515, Rio Claro
E-mail para inscrições: cesar.bof@unesp.br
E-mail for proposal submission: cesar.bof@unesp.br
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Resumo
Summary
Este projeto de pós-doutorado visa desenvolver dispositivos optoeletrônicos baseados em perovskitas e MOFs, investigando de forma sistemática como defeitos em filmes finos e em interfaces afetam o desempenho e a estabilidade dos dispositivos. A metodologia integra síntese química controlada, técnicas de micro/nanofabricação (incluindo fotolitografia) e caracterização multifuncional.
O candidato deverá correlacionar dados morfológicos e eletrostáticos de alta resolução (obtidos por AFM, KPFM e SKPM) com medições elétricas e ópticas em dispositivos completos. O projeto busca não apenas fabricar protótipos funcionais, mas também estabelecer relações estrutura-propriedade robustas para o design racional de uma nova geração de dispositivos mais eficientes e estáveis.
O candidato ideal deve possuir experiência comprovada em síntese de materiais híbridos, em processos de fabricação de dispositivos (particularmente fotolitografia), técnicas avançadas de caracterização, incluindo AFM e KPFM, sendo a experiência em SKPM considerada altamente vantajosa.
Além disso, os candidatos devem ter experiência prática na realização e análise de medidas elétricas em dispositivos de estado sólido. Proficiência em inglês.
This postdoctoral project aims to develop optoelectronic devices based on perovskites and MOFs, systematically investigating how defects in thin films and interfaces affect device performance and stability. The methodology integrates controlled chemical synthesis, micro- and nanofabrication techniques (including photolithography), and multifunctional characterization.
The candidate should correlate high-resolution morphological and electrostatic data (obtained by AFM, KPFM, and SKPM) with electrical and optical measurements in complete devices. The project seeks not only to fabricate functional prototypes but to establish robust structure-property relationships for the rational design of a new generation of more efficient and stable devices.
The ideal candidate must possess demonstrated experience in synthesizing hybrid materials, device fabrication processes (particularly photolithography), and advanced characterization techniques, including AFM and KPFM, with SKPM experience considered highly advantageous.
Additionally, candidates should have practical experience in performing and analyzing electrical measurements on solid-state devices. Proficiency in scientific English for reading and writing, coupled with strong teamwork skills and the ability to integrate and correlate multidisciplinary data, are essential requirements for this position.
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