Bolsa de PD em Ciência e Engenharia dos Materiais

Post-doctoral fellowship in Materials Science and Engineering

• Resumo Summary

  Bolsa de Pós-Doutorado
  Duração: 12 meses com possibilidade de prorrogação
  
  Baseia-se em um estudo detalhado sobre a influência da modulação do sinal elétrico sobre a performance de dispositivos sensores de gás de junção p-n baseados em nanoestruturas semicondutoras 1D. Para isso, nanoestruturas com diferentes estequiometrias do óxido de estanho (SnO2, SnO e Sn3O4) e óxido de cobre (CuO e Cu2O) serão utilizadas para projetar um elemento sensor cruzado a fim de construir dispositivos constituídos por (a) apenas um canal-n; (b) apenas um canal-p; e (c) multicanais em um único dispositivo. As propriedades de sensor de gás dos dispositivos serão analisadas após exposição a baixas concentrações (no intervalo de ppm) de gases oxidantes e redutores em diferentes temperaturas de operação, utilizando sistemas de aquecimento externo e de "self-heating". O maior desafio deste trabalho será construir e caracterizar um novo e sofisticado dispositivo sensor de gás "3 em 1" (formado pela intersecção de duas nanoestruturas cruzadas) com um design especial que permite estudar simultaneamente, em um único dispositivo, as propriedades sensoras de três canais de forma independente. O foco do trabalho será a compreensão de como otimizar as suas respostas como sensor de gás, permitindo o desenvolvimento de novos dispositivos eletrônicos multifuncionais de alto desempenho com potencial para serem utilizados como sensores químicos. Candidatos bastante motivados para uma oportunidade de Pós-Doutorado são procurados para trabalhar no projeto.
  
  Os candidatos interessados devem enviar um e-mail ao Prof. Mário Cilense (mcilense@iq.unesp.br), com cópia para Assessora Administrativa (rose.liec@iq.unesp.br), com os seguintes documentos:
  1) Carta de interesse para esta posição;
  2) CV resumido contendo grau acadêmico, publicações e documentos comprovando experiência na área;
  3) 2 (duas) cartas de recomendação.
  
  O prazo para a inscrição é até 10 abril de 2017.
  
  Requisitos para aceitação da inscrição:
  O candidato selecionado deve estar pronto para apresentar os seguintes documentos para receber a bolsa de estudos:
  1) Formulário de inscrição;
  2) Fotocópia da carteira de identidade nacional ou documento equivalente do seu país;
  3) Fotocópia de um passaporte válido para os cidadãos estrangeiros não residentes no Brasil;
  4) Fotocópia do certificado acadêmico oficial, incluindo o seu título acadêmico e as notas obtidas, juntamente com datas;
  5) Fotocópia do grau acadêmico ou depósito feito para a emissão do grau;
  6) CV resumido e atualizado do candidato;
  7) Relatório sobre a sua participação no projeto de pesquisa;
  8) 2 (duas) cartas de recomendação;
  9) Documentos comprobatórios de conhecimento de Inglês ou Português.

  Post-doctorate Fellowship
  Period: 12 months with possibility of extension
  
  It is based on a detailed study about the influence of the electric signal modulation on the gas sensor performance p-n junction devices based on 1D semiconducting nanostructures. For this, different stoichiometry of tin oxide (SnO2, SnO and Sn3O4) and copper oxide (CuO and Cu2O) nanostructures will be used to design crossed sensor element in order to assemble devices composed by (a) only an n-channel; (b) only a p-channel; and (c) multi-channels in a single device. The gas sensor properties of the devices will be analyzed after exposure to low concentrations (in ppm range) of oxidizing and reducing gases in different operating temperatures by using both external and a self-heating system. The major challenge of this work will be to build and characterize a new and sophisticated "3-in-1" gas sensor device (formed by the intersection of two crossed nanostructures) with a special design that allows to study simultaneously, in a single device, the sensor properties of three channels independently, and the focus will be understanding how to optimize their gas sensor response allowing for the development of new high-performance multifunctional electronic devices with potential to be used as chemical sensors. Very motivated candidates for a post-doctorate opportunity are looked for work on the project.
  
  Interested candidates must send an e-mail to Prof. Mário Cilense (mcilense@iq.unesp.br / cc to rose.liec@iq.unesp.br), with the following documents:
  1) Letter of interest for this position;
  2) Short CV containing academic degree, publications, and the documents showing expertise in the field;
  3) 2 (two) letters of recommendation.
  
  The deadline for application is April 10, 2017.
  
  Requisites for acceptance of application:
  The selected candidate must be ready to present the following documents to receive the scholarship:
  i) Application form;
  ii) Photocopy of national identity card or your country equivalent;
  iii) Photocopy of a valid passport for foreign citizens not resident in Brazil;
  iv) Photocopy of official academic certificate including your academic title and grades obtained, together with dates;
  v) Photocopy of academic degree or deposit made for issuance of degree;
  vi) Applicant updated short CV;
  vii) Report on your participation in the research project;
  viii) 2 (two) letters of recommendation;
  ix) Supporting documents of knowledge of English or Portuguese.
  
  This opportunity is open to candidates of any nationalities. The selected candidate will receive a FAPESP's Post-Doctoral fellowship in the amount of R$ 6.819,30 monthly and a research contingency fund, equivalent to 15% of the annual value of the fellowship which should be spent in items directly related to the research activity.
  
  More information about the fellowship is at: www.fapesp.br/en/5427.